《炬丰科技-半导体工艺》氧化硅、氮化硅薄膜的
06-23?
编号JFKJ-21-263
关键词:SiNx: H;氧化;PECVD;退火温度;元素分析 ?
? 非晶态氮化硅薄膜是已知的材料科学的不同方面是非常有用的。这些薄膜是一种很好的材料用于技术应用包括太阳能电池辐射冷却栅电介质等。可以沉积氮化硅(SiNx)薄膜通过不同的CVD技术PECVD是其中之一最常用的方法。
? SIMS被用来确认存在的原始元素和不需要的el元素如碳杂质在整个ON结构中元素含量是均匀的。?图1 显示了一个ON样品的SIMS结果在700°C下30分钟的氮气环境。
文章氧化硅、氮化硅薄膜的成分分析
? 利用NH3/SiH4气体混合物采用等离子体增强化学气相沉积平行配置在多晶体硅(mc-Si)上生长氢、非晶态氮化硅。二次离子质谱学采用Rutherford背散射光谱(RBS)、俄歇电子能谱(AES)和能量色散x射线分析了氮化物氧化物堆中的化学成分和化学计量学。研究了退火温度对结构化学组成的影响。在SiNx的热氧化过程中O、N、Si在该结构中重新分布。氧气扩散到了氮层在干氧化过程中生成二氧化硅。 ?
作者炬丰科技
介绍 ?
摘要
实验
结果与讨论 ?
书籍《炬丰科技-半导体工艺》